货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥1.681456 | ¥4203.64 |
5000 | ¥1.592969 | ¥7964.85 |
12500 | ¥1.474916 | ¥18436.45 |
25000 | ¥1.460349 | ¥36508.72 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 21 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 7.5 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 22 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4178DY-GE3
单位重量 187 mg
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0SI4178DY-T1-GE3
型号:SI4178DY-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥1.681456 |
5000+: | ¥1.592969 |
12500+: | ¥1.474916 |
25000+: | ¥1.460349 |
货期:1-2天
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