
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥15.451152 | ¥15.45 |
| 10 | ¥9.622549 | ¥96.23 |
| 100 | ¥6.27531 | ¥627.53 |
| 500 | ¥4.837894 | ¥2418.95 |
| 1000 | ¥4.374666 | ¥4374.67 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 21 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 7.5 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 22 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4178DY-GE3
单位重量 187 mg
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0SI4178DY-T1-GE3
型号:SI4178DY-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥15.451152 |
| 10+: | ¥9.622549 |
| 100+: | ¥6.27531 |
| 500+: | ¥4.837894 |
| 1000+: | ¥4.374666 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.45