搜索

SIHB12N60ET5-GE3

SILICONIX(威世)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
SIHB12N60ET5-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
渠道:
digikey

库存 :800

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 24.464927 24.46
10 21.944298 219.44
25 20.698811 517.47
100 16.143145 1614.31
250 15.729218 3932.30
500 13.659584 6829.79
1000 11.58995 11589.95
2500 11.424379 28560.95
5000 10.596526 52982.63

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 12 A

漏源电阻 380 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 4 V

栅极电荷 29 nC

耗散功率 147 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 19 ns

上升时间 19 ns

典型关闭延迟时间 35 ns

典型接通延迟时间 14 ns

外形参数

高度 4.83 mm

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 4 g

SIHB12N60ET5-GE3 相关产品

SIHB12N60ET5-GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SIHB12N60ET5-GE3、查询SIHB12N60ET5-GE3代理商; SIHB12N60ET5-GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SIHB12N60ET5-GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到SIHB12N60ET5-GE3 替代型号 、SIHB12N60ET5-GE3 数据手册PDF

购物车

SIHB12N60ET5-GE3

锐单logo

型号:SIHB12N60ET5-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:800 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥24.464927
10+: ¥21.944298
25+: ¥20.698811
100+: ¥16.143145
250+: ¥15.729218
500+: ¥13.659584
1000+: ¥11.58995
2500+: ¥11.424379
5000+: ¥10.596526

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥24.46