货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥24.464927 | ¥24.46 |
10 | ¥21.944298 | ¥219.44 |
25 | ¥20.698811 | ¥517.47 |
100 | ¥16.143145 | ¥1614.31 |
250 | ¥15.729218 | ¥3932.30 |
500 | ¥13.659584 | ¥6829.79 |
1000 | ¥11.58995 | ¥11589.95 |
2500 | ¥11.424379 | ¥28560.95 |
5000 | ¥10.596526 | ¥52982.63 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 147 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
上升时间 19 ns
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0SIHB12N60ET5-GE3
型号:SIHB12N60ET5-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥24.464927 |
10+: | ¥21.944298 |
25+: | ¥20.698811 |
100+: | ¥16.143145 |
250+: | ¥15.729218 |
500+: | ¥13.659584 |
1000+: | ¥11.58995 |
2500+: | ¥11.424379 |
5000+: | ¥10.596526 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥24.46