货期:国内(1~3工作日)
起订量:4000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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4000 | ¥4.275849 | ¥17103.40 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 70 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 8.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns, 50 ns
正向跨导(Min) 12 S
上升时间 30 ns, 25 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns, 75 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 7 ns
高度 1.57 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 250 mg
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0NTF6P02T3G
型号:NTF6P02T3G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
4000+: | ¥4.275849 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00