IXFH18N60P
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- 制造商编号：
- IXFH18N60P
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥35.624445 | ￥35.62 |
| 10 | ￥32.196433 | ￥321.96 |
| 100 | ￥26.655039 | ￥2665.50 |
| 500 | ￥23.210671 | ￥11605.34 |
| 1000 | ￥20.215753 | ￥20215.75 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 360 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导（Min） 16 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 21 ns
外形参数
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
IXFH18N60P 同类别型号
注
IXFH18N60P品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXFH18N60P
数据手册PDF。
IXFH18N60P
型号：IXFH18N60P
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥35.624445 |
| 10+： | ￥32.196433 |
| 100+： | ￥26.655039 |
| 500+： | ￥23.210671 |
| 1000+： | ￥20.215753 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥35.62