货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥43.568988 | ¥43.57 |
10 | ¥39.376501 | ¥393.77 |
100 | ¥32.599331 | ¥3259.93 |
500 | ¥28.38684 | ¥14193.42 |
1000 | ¥24.724031 | ¥24724.03 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 360 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 21 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0IXFH18N60P
型号:IXFH18N60P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥43.568988 |
10+: | ¥39.376501 |
100+: | ¥32.599331 |
500+: | ¥28.38684 |
1000+: | ¥24.724031 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥43.57