
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.36636 | ¥4099.08 |
| 6000 | ¥1.229724 | ¥7378.34 |
| 15000 | ¥1.138634 | ¥17079.51 |
| 30000 | ¥1.120392 | ¥33611.76 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 5.3 A
漏源电阻 3.51 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 10.5 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18.2 ns
上升时间 5.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 7.7 ns
高度 1.6 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPN65R1K5CE SP001461234
单位重量 112 mg
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0IPN65R1K5CEATMA1
型号:IPN65R1K5CEATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.36636 |
| 6000+: | ¥1.229724 |
| 15000+: | ¥1.138634 |
| 30000+: | ¥1.120392 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00