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IPN65R1K5CEATMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPN65R1K5CEATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
CONSUMER
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:3000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
3000 1.671069 5013.21
6000 1.503963 9023.78
15000 1.392558 20888.37
30000 1.370248 41107.44

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 CoolMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 5.3 A

漏源电阻 3.51 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 10.5 nC

耗散功率 5 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 18.2 ns

上升时间 5.9 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 33 ns

典型接通延迟时间 7.7 ns

外形参数

高度 1.6 mm

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPN65R1K5CE SP001461234

单位重量 112 mg

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IPN65R1K5CEATMA1

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型号:IPN65R1K5CEATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

3000+: ¥1.671069
6000+: ¥1.503963
15000+: ¥1.392558
30000+: ¥1.370248

货期:1-2天

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