
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥18.042314 | ¥18.04 |
| 30 | ¥14.292344 | ¥428.77 |
| 120 | ¥12.251263 | ¥1470.15 |
| 510 | ¥10.889775 | ¥5553.79 |
| 1020 | ¥9.324398 | ¥9510.89 |
制造商 onsemi
商标名 UniFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 38 A
漏源电阻 70 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 60 nC
耗散功率 312 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 6.3 S
晶体管类型 1 N-Channel
高度 20.1 mm
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 4.600 g
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0FDA38N30
型号:FDA38N30
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥18.042314 |
| 30+: | ¥14.292344 |
| 120+: | ¥12.251263 |
| 510+: | ¥10.889775 |
| 1020+: | ¥9.324398 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥18.04