货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥22.352692 | ¥22.35 |
10 | ¥18.74412 | ¥187.44 |
100 | ¥15.161846 | ¥1516.18 |
500 | ¥13.477212 | ¥6738.61 |
1000 | ¥11.539905 | ¥11539.90 |
制造商 onsemi
商标名 UniFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 38 A
漏源电阻 70 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 60 nC
耗散功率 312 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 6.3 S
晶体管类型 1 N-Channel
高度 20.1 mm
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 4.600 g
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0FDA38N30
型号:FDA38N30
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥22.352692 |
10+: | ¥18.74412 |
100+: | ¥15.161846 |
500+: | ¥13.477212 |
1000+: | ¥11.539905 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥22.35