货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.166494 | ¥7.17 |
10 | ¥6.350996 | ¥63.51 |
25 | ¥5.965488 | ¥149.14 |
100 | ¥4.332022 | ¥433.20 |
250 | ¥4.177324 | ¥1044.33 |
500 | ¥3.619079 | ¥1809.54 |
1000 | ¥3.08011 | ¥3080.11 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 5.3 A
漏源电阻 3.51 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 10.5 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18.2 ns
上升时间 5.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 7.7 ns
高度 1.6 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPN65R1K5CE SP001461234
单位重量 112 mg
购物车
0IPN65R1K5CEATMA1
型号:IPN65R1K5CEATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.166494 |
10+: | ¥6.350996 |
25+: | ¥5.965488 |
100+: | ¥4.332022 |
250+: | ¥4.177324 |
500+: | ¥3.619079 |
1000+: | ¥3.08011 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.17