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IPN65R1K5CEATMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPN65R1K5CEATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
CONSUMER
渠道:
digikey

库存 :1884

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 7.166494 7.17
10 6.350996 63.51
25 5.965488 149.14
100 4.332022 433.20
250 4.177324 1044.33
500 3.619079 1809.54
1000 3.08011 3080.11

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 CoolMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 5.3 A

漏源电阻 3.51 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 10.5 nC

耗散功率 5 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 18.2 ns

上升时间 5.9 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 33 ns

典型接通延迟时间 7.7 ns

外形参数

高度 1.6 mm

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPN65R1K5CE SP001461234

单位重量 112 mg

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IPN65R1K5CEATMA1

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型号:IPN65R1K5CEATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:1884 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥7.166494
10+: ¥6.350996
25+: ¥5.965488
100+: ¥4.332022
250+: ¥4.177324
500+: ¥3.619079
1000+: ¥3.08011

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