SIHH21N65E-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIHH21N65E-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥77.719388 | ￥77.72 |
| 10 | ￥69.848602 | ￥698.49 |
| 25 | ￥66.025648 | ￥1650.64 |
| 100 | ￥52.822001 | ￥5282.20 |
| 250 | ￥49.887694 | ￥12471.92 |
| 500 | ￥46.95289 | ￥23476.44 |
| 1000 | ￥40.203412 | ￥40203.41 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 20.3 A
漏源电阻 148 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 66 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 44 ns
上升时间 46 ns
典型关闭延迟时间 69 ns
典型接通延迟时间 26 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 8 mm
宽度 8 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 50 mg
SIHH21N65E-T1-GE3 同类别型号
注
SIHH21N65E-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIHH21N65E-T1-GE3
数据手册PDF。
SIHH21N65E-T1-GE3
型号：SIHH21N65E-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥77.719388 |
| 10+： | ￥69.848602 |
| 25+： | ￥66.025648 |
| 100+： | ￥52.822001 |
| 250+： | ￥49.887694 |
| 500+： | ￥46.95289 |
| 1000+： | ￥40.203412 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥77.72