货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.850261 | ¥12.85 |
10 | ¥11.454031 | ¥114.54 |
100 | ¥8.93464 | ¥893.46 |
500 | ¥7.380497 | ¥3690.25 |
1000 | ¥5.82673 | ¥5826.73 |
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 3.1 A
漏源电阻 2.1 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 45 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 60 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 9.5 ns
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 FQD4P25TM_WS
单位重量 330 mg
购物车
0FQD4P25TM-WS
型号:FQD4P25TM-WS
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.850261 |
10+: | ¥11.454031 |
100+: | ¥8.93464 |
500+: | ¥7.380497 |
1000+: | ¥5.82673 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.85