
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥12.129581 | ¥12.13 |
| 10 | ¥10.905072 | ¥109.05 |
| 100 | ¥8.767378 | ¥876.74 |
| 500 | ¥7.203355 | ¥3601.68 |
| 1000 | ¥5.968505 | ¥5968.51 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 33 A
漏源电阻 94 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 48 nC
耗散功率 235 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 120 ns
正向跨导(Min) 26.6 S
上升时间 230 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 35 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FDP33N25
型号:FDP33N25
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥12.129581 |
| 10+: | ¥10.905072 |
| 100+: | ¥8.767378 |
| 500+: | ¥7.203355 |
| 1000+: | ¥5.968505 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.13