
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥19.223048 | ¥19.22 |
| 10 | ¥17.240329 | ¥172.40 |
| 100 | ¥14.125646 | ¥1412.56 |
| 500 | ¥12.024731 | ¥6012.37 |
| 1000 | ¥10.865691 | ¥10865.69 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 9.9 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 66 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 15.9 mm
长度 10.5 mm
宽度 4.69 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0IRLI640GPBF
型号:IRLI640GPBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥19.223048 |
| 10+: | ¥17.240329 |
| 100+: | ¥14.125646 |
| 500+: | ¥12.024731 |
| 1000+: | ¥10.865691 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.22