
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.60388 | ¥4811.64 |
| 6000 | ¥1.519446 | ¥9116.68 |
| 9000 | ¥1.406888 | ¥12661.99 |
| 30000 | ¥1.392974 | ¥41789.22 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 43 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 7.6 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导(Min) 4.5 S
上升时间 31 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
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0RTQ045N03HZGTR
型号:RTQ045N03HZGTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.60388 |
| 6000+: | ¥1.519446 |
| 9000+: | ¥1.406888 |
| 30000+: | ¥1.392974 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00