CSD18512Q5B
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- 制造商编号：
- CSD18512Q5B
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- 40V N CH MOSFET
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥4.721112 | ￥11802.78 |
| 5000 | ￥4.543642 | ￥22718.21 |
| 12500 | ￥4.393193 | ￥54914.91 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 98 nC
耗散功率 139 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导（Min） 136 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 115.700 mg
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注
CSD18512Q5B品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、CSD18512Q5B
数据手册PDF
。
CSD18512Q5B
型号：CSD18512Q5B
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥4.721112 |
| 5000+： | ￥4.543642 |
| 12500+： | ￥4.393193 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00