
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥3.812445 | ¥3.81 |
| 10 | ¥3.058335 | ¥30.58 |
| 30 | ¥2.733649 | ¥82.01 |
| 100 | ¥2.335646 | ¥233.56 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 230 mA
漏源电阻 8.5 Ohms
栅极电压 - 40 V, + 40 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 2.6 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.5 ns
正向跨导(Min) 0.3 S
上升时间 1.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11.4 ns
典型接通延迟时间 1.25 ns
高度 1.3 mm
长度 3.1 mm
宽度 1.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 15 mg
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0ZVN4525E6TA
型号:ZVN4525E6TA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥3.812445 |
| 10+: | ¥3.058335 |
| 30+: | ¥2.733649 |
| 100+: | ¥2.335646 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥3.81