货期:国内(1~3工作日)
起订量:10
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10 | ¥13.493232 | ¥134.93 |
100 | ¥9.997776 | ¥999.78 |
300 | ¥7.71768 | ¥2315.30 |
500 | ¥6.55344 | ¥3276.72 |
1000 | ¥5.894352 | ¥5894.35 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 9 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 3.1 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 22 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ120P03NS3 G SP000709736
单位重量 38.760 mg
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0BSZ120P03NS3GATMA1
型号:BSZ120P03NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
10+: | ¥13.493232 |
100+: | ¥9.997776 |
300+: | ¥7.71768 |
500+: | ¥6.55344 |
1000+: | ¥5.894352 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00