
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥26.120162 | ¥26.12 |
| 10 | ¥23.468369 | ¥234.68 |
| 100 | ¥18.86353 | ¥1886.35 |
| 500 | ¥15.497875 | ¥7748.94 |
| 1000 | ¥12.914896 | ¥12914.90 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 14 A
漏源电阻 10.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 0.7 mm
长度 4.85 mm
宽度 3.95 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF6617TRPBF SP001531694
单位重量 500 mg
购物车
0IRF6617TRPBF
型号:IRF6617TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥26.120162 |
| 10+: | ¥23.468369 |
| 100+: | ¥18.86353 |
| 500+: | ¥15.497875 |
| 1000+: | ¥12.914896 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥26.12