货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥36.384155 | ¥36.38 |
10 | ¥32.662577 | ¥326.63 |
100 | ¥26.762107 | ¥2676.21 |
500 | ¥22.782026 | ¥11391.01 |
1000 | ¥19.213746 | ¥19213.75 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 34 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 33 ns
正向跨导(Min) 6 S
上升时间 65 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 19 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0SIHA120N60E-GE3
型号:SIHA120N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥36.384155 |
10+: | ¥32.662577 |
100+: | ¥26.762107 |
500+: | ¥22.782026 |
1000+: | ¥19.213746 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥36.38