货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥16.578138 | ¥16.58 |
10 | ¥14.879221 | ¥148.79 |
100 | ¥11.96092 | ¥1196.09 |
500 | ¥9.827137 | ¥4913.57 |
1000 | ¥8.189189 | ¥8189.19 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 32 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 144 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB5615PBF SP001575534
单位重量 2 g
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0IRFB5615PBF
型号:IRFB5615PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.578138 |
10+: | ¥14.879221 |
100+: | ¥11.96092 |
500+: | ¥9.827137 |
1000+: | ¥8.189189 |
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单价:¥0.00总价:¥16.58