
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥72.535622 | ¥72.54 |
| 10 | ¥65.112054 | ¥651.12 |
| 25 | ¥61.553275 | ¥1538.83 |
| 100 | ¥49.242053 | ¥4924.21 |
| 250 | ¥46.506667 | ¥11626.67 |
| 500 | ¥43.770715 | ¥21885.36 |
| 1000 | ¥37.478675 | ¥37478.68 |
| 2500 | ¥36.93154 | ¥92328.85 |
| 5000 | ¥33.648736 | ¥168243.68 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 29 A
漏源电阻 88 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
上升时间 28 ns
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0SIHP105N60EF-GE3
型号:SIHP105N60EF-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥72.535622 |
| 10+: | ¥65.112054 |
| 25+: | ¥61.553275 |
| 100+: | ¥49.242053 |
| 250+: | ¥46.506667 |
| 500+: | ¥43.770715 |
| 1000+: | ¥37.478675 |
| 2500+: | ¥36.93154 |
| 5000+: | ¥33.648736 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥72.54