货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥51.631319 | ¥51.63 |
30 | ¥41.20648 | ¥1236.19 |
120 | ¥36.869665 | ¥4424.36 |
510 | ¥32.531841 | ¥16591.24 |
1020 | ¥29.278636 | ¥29864.21 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 34 A
漏源电阻 96 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 54 nC
耗散功率 540 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
上升时间 48 ns
典型关闭延迟时间 68 ns
典型接通延迟时间 30 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 X2-Class
单位重量 6 g
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0IXTH34N65X2
型号:IXTH34N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥51.631319 |
30+: | ¥41.20648 |
120+: | ¥36.869665 |
510+: | ¥32.531841 |
1020+: | ¥29.278636 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥51.63