
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥44.726796 | ¥44.73 |
| 10 | ¥40.406129 | ¥404.06 |
| 100 | ¥33.45272 | ¥3345.27 |
| 500 | ¥29.130065 | ¥14565.03 |
| 1000 | ¥25.627577 | ¥25627.58 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 52 A
漏源电阻 73 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 110 nC
耗散功率 400 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 20 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 24 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Polar Power MOSFETs HiPerFET
单位重量 6 g
购物车
0IXFH52N30P
型号:IXFH52N30P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥44.726796 |
| 10+: | ¥40.406129 |
| 100+: | ¥33.45272 |
| 500+: | ¥29.130065 |
| 1000+: | ¥25.627577 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥44.73