货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥10.342397 | ¥10.34 |
10 | ¥8.49821 | ¥84.98 |
100 | ¥6.612904 | ¥661.29 |
500 | ¥5.604832 | ¥2802.42 |
1000 | ¥4.565857 | ¥4565.86 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 230 mA
漏源电阻 8.5 Ohms
栅极电压 - 40 V, + 40 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 2.6 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.5 ns
正向跨导(Min) 0.3 S
上升时间 1.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11.4 ns
典型接通延迟时间 1.25 ns
高度 1.3 mm
长度 3.1 mm
宽度 1.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 15 mg
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0ZVN4525E6TA
型号:ZVN4525E6TA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.342397 |
10+: | ¥8.49821 |
100+: | ¥6.612904 |
500+: | ¥5.604832 |
1000+: | ¥4.565857 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.34