货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.189762 | ¥8.19 |
10 | ¥7.184657 | ¥71.85 |
100 | ¥5.504514 | ¥550.45 |
500 | ¥4.351742 | ¥2175.87 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 90 mA
漏源电阻 28 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.9 V
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 41 ns
正向跨导(Min) 50 mS
上升时间 38 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 1.5 mm
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS225 H6327 SP001047644
单位重量 130.500 mg
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0BSS225H6327FTSA1
型号:BSS225H6327FTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.189762 |
10+: | ¥7.184657 |
100+: | ¥5.504514 |
500+: | ¥4.351742 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.19