货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥28.458945 | ¥28.46 |
10 | ¥25.591599 | ¥255.92 |
100 | ¥20.965233 | ¥2096.52 |
500 | ¥17.919124 | ¥8959.56 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 168 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 72 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 54 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPP65R190C7 SP000929426
单位重量 2 g
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0IPP65R190C7FKSA1
型号:IPP65R190C7FKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥28.458945 |
10+: | ¥25.591599 |
100+: | ¥20.965233 |
500+: | ¥17.919124 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥28.46