
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥49.118285 | ¥49.12 |
| 30 | ¥39.233577 | ¥1177.01 |
| 120 | ¥35.104611 | ¥4212.55 |
| 510 | ¥30.974698 | ¥15797.10 |
| 1020 | ¥27.877215 | ¥28434.76 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 10 A
漏源电阻 1.4 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 6.5 V
栅极电荷 56 nC
耗散功率 380 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 75 ns
正向跨导(Min) 4.2 S
上升时间 45 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 47 ns
典型接通延迟时间 38 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Polar HiPerFET Power MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH10N100P
型号:IXFH10N100P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥49.118285 |
| 30+: | ¥39.233577 |
| 120+: | ¥35.104611 |
| 510+: | ¥30.974698 |
| 1020+: | ¥27.877215 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥49.12