
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥13.768354 | ¥13.77 |
| 10 | ¥8.980026 | ¥89.80 |
| 100 | ¥6.264602 | ¥626.46 |
| 500 | ¥5.060635 | ¥2530.32 |
| 1000 | ¥4.385222 | ¥4385.22 |
| 2000 | ¥4.174871 | ¥8349.74 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 9 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 3.1 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 22 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ120P03NS3 G SP000709736
单位重量 38.760 mg
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0BSZ120P03NS3GATMA1
型号:BSZ120P03NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥13.768354 |
| 10+: | ¥8.980026 |
| 100+: | ¥6.264602 |
| 500+: | ¥5.060635 |
| 1000+: | ¥4.385222 |
| 2000+: | ¥4.174871 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.77