
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥10.179517 | ¥10.18 |
| 10 | ¥8.917256 | ¥89.17 |
| 100 | ¥6.831135 | ¥683.11 |
| 500 | ¥5.400574 | ¥2700.29 |
| 1000 | ¥4.320459 | ¥4320.46 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 11.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 15.1 nC
耗散功率 36 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 76 mg
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0CSD17579Q5A
型号:CSD17579Q5A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥10.179517 |
| 10+: | ¥8.917256 |
| 100+: | ¥6.831135 |
| 500+: | ¥5.400574 |
| 1000+: | ¥4.320459 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.18