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SIHF7N60E-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIHF7N60E-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 11.927149 11.93
10 10.693508 106.94
25 10.086626 252.17
100 7.866656 786.67
250 7.664947 1916.24

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 7 A

漏源电阻 600 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 4 V

栅极电荷 20 nC

耗散功率 31 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 14 ns

上升时间 13 ns

典型关闭延迟时间 24 ns

典型接通延迟时间 13 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 2 g

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SIHF7N60E-GE3

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型号:SIHF7N60E-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥11.927149
10+: ¥10.693508
25+: ¥10.086626
100+: ¥7.866656
250+: ¥7.664947

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