
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥11.927149 | ¥11.93 |
| 10 | ¥10.693508 | ¥106.94 |
| 25 | ¥10.086626 | ¥252.17 |
| 100 | ¥7.866656 | ¥786.67 |
| 250 | ¥7.664947 | ¥1916.24 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 600 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 31 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
上升时间 13 ns
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0SIHF7N60E-GE3
型号:SIHF7N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥11.927149 |
| 10+: | ¥10.693508 |
| 25+: | ¥10.086626 |
| 100+: | ¥7.866656 |
| 250+: | ¥7.664947 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥11.93