
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥2.653282 | ¥2.65 |
| 10 | ¥2.323096 | ¥23.23 |
| 100 | ¥1.607889 | ¥160.79 |
| 500 | ¥1.343504 | ¥671.75 |
| 1000 | ¥1.258128 | ¥1258.13 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 3.8 A
漏源电阻 68 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 10.6 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMN10H120SFG-7
型号:DMN10H120SFG-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥2.653282 |
| 10+: | ¥2.323096 |
| 100+: | ¥1.607889 |
| 500+: | ¥1.343504 |
| 1000+: | ¥1.258128 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥2.65