
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.960371 | ¥9.96 |
| 10 | ¥9.150585 | ¥91.51 |
| 30 | ¥8.988628 | ¥269.66 |
| 100 | ¥8.502756 | ¥850.28 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 75 V
漏极电流 210 A
漏源电阻 2.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 220 nC
耗散功率 370 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB3077PBF SP001575594
单位重量 2 g
购物车
0IRFB3077PBF
型号:IRFB3077PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.960371 |
| 10+: | ¥9.150585 |
| 30+: | ¥8.988628 |
| 100+: | ¥8.502756 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.96