
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥29.397657 | ¥29.40 |
| 10 | ¥18.729642 | ¥187.30 |
| 100 | ¥12.633416 | ¥1263.34 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 150 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 44.7 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.5 ns
正向跨导(Min) 6.8 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF640NSTRLPBF SP001561810
单位重量 4 g
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0IRF640NSTRLPBF
型号:IRF640NSTRLPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥29.397657 |
| 10+: | ¥18.729642 |
| 100+: | ¥12.633416 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥29.40