
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥55.390739 | ¥55.39 |
| 10 | ¥50.026266 | ¥500.26 |
| 100 | ¥41.418425 | ¥4141.84 |
| 500 | ¥36.066476 | ¥18033.24 |
| 1000 | ¥31.41275 | ¥31412.75 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 12 A
漏源电阻 1.05 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 80 nC
耗散功率 463 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 36 ns
正向跨导(Min) 4.8 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 30 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Polar HiPerFET Power MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH12N100P
型号:IXFH12N100P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥55.390739 |
| 10+: | ¥50.026266 |
| 100+: | ¥41.418425 |
| 500+: | ¥36.066476 |
| 1000+: | ¥31.41275 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥55.39