
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥29.75093 | ¥29.75 |
| 10 | ¥26.775837 | ¥267.76 |
| 100 | ¥21.515589 | ¥2151.56 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 7.5 A
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 36 nC
耗散功率 3.13 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 64.5 ns
正向跨导(Min) 8.7 S
上升时间 60.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 81 ns
典型接通延迟时间 16.5 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FQB8N60CTM_NL
单位重量 4 g
购物车
0FQB8N60CTM
型号:FQB8N60CTM
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥29.75093 |
| 10+: | ¥26.775837 |
| 100+: | ¥21.515589 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥29.75