货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.782618 | ¥5347.85 |
6000 | ¥1.604356 | ¥9626.14 |
15000 | ¥1.485514 | ¥22282.71 |
30000 | ¥1.461774 | ¥43853.22 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 31.7 A
漏源电阻 2.65 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 61 nC
耗散功率 56.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 80 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
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0SISS10ADN-T1-GE3
型号:SISS10ADN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.782618 |
6000+: | ¥1.604356 |
15000+: | ¥1.485514 |
30000+: | ¥1.461774 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00