货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥22.933573 | ¥22.93 |
10 | ¥20.620614 | ¥206.21 |
100 | ¥16.57163 | ¥1657.16 |
500 | ¥13.615355 | ¥6807.68 |
1000 | ¥11.346042 | ¥11346.04 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 72.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 144 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.9 ns
正向跨导(Min) 37 S
上升时间 14.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17.1 ns
典型接通延迟时间 8.6 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB5620PBF SP001565852
单位重量 2 g
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0IRFB5620PBF
型号:IRFB5620PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥22.933573 |
10+: | ¥20.620614 |
100+: | ¥16.57163 |
500+: | ¥13.615355 |
1000+: | ¥11.346042 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥22.93