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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥2.518781 | ¥7556.34 |
6000 | ¥2.345122 | ¥14070.73 |
15000 | ¥2.258257 | ¥33873.85 |
30000 | ¥2.200371 | ¥66011.13 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 197 mA
漏源电阻 14 Ohms
栅极电压 - 40 V, + 40 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 2.45 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.78 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 3.78 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 17.5 ns
典型接通延迟时间 1.53 ns
高度 1.3 mm
长度 3.1 mm
宽度 1.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 15 mg
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0ZVP4525E6TA
型号:ZVP4525E6TA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥2.518781 |
6000+: | ¥2.345122 |
15000+: | ¥2.258257 |
30000+: | ¥2.200371 |
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