货期: 8周-10周
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥8.57011 | ¥21425.27 |
5000 | ¥8.247875 | ¥41239.38 |
12500 | ¥7.97486 | ¥99685.75 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 182 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.25 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 85 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导(Min) 2.1 S
上升时间 35 ns
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0RD3T100CNTL1
型号:RD3T100CNTL1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥8.57011 |
5000+: | ¥8.247875 |
12500+: | ¥7.97486 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00