
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥39.464819 | ¥39.46 |
| 10 | ¥35.676198 | ¥356.76 |
| 100 | ¥29.534887 | ¥2953.49 |
| 500 | ¥25.718785 | ¥12859.39 |
| 1000 | ¥22.626497 | ¥22626.50 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 7.6 A
漏源电阻 1.07 Ohms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 6 V
栅极电荷 27.5 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0UF3C120400K3S
型号:UF3C120400K3S
品牌:SiC
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥39.464819 |
| 10+: | ¥35.676198 |
| 100+: | ¥29.534887 |
| 500+: | ¥25.718785 |
| 1000+: | ¥22.626497 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥39.46