
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥21.859346 | ¥21.86 |
| 10 | ¥18.101825 | ¥181.02 |
| 100 | ¥14.407167 | ¥1440.72 |
| 500 | ¥12.190372 | ¥6095.19 |
| 1000 | ¥10.343473 | ¥10343.47 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 182 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.25 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 85 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导(Min) 2.1 S
上升时间 35 ns
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0RD3T100CNTL1
型号:RD3T100CNTL1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥21.859346 |
| 10+: | ¥18.101825 |
| 100+: | ¥14.407167 |
| 500+: | ¥12.190372 |
| 1000+: | ¥10.343473 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.86