货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥21.72649 | ¥21.73 |
10 | ¥19.537174 | ¥195.37 |
100 | ¥16.006264 | ¥1600.63 |
500 | ¥13.626118 | ¥6813.06 |
1000 | ¥11.491913 | ¥11491.91 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 3.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.6 V
栅极电荷 76 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 262 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
高度 16.51 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0CSD19505KCS
型号:CSD19505KCS
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥21.72649 |
10+: | ¥19.537174 |
100+: | ¥16.006264 |
500+: | ¥13.626118 |
1000+: | ¥11.491913 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥21.73