STD2HNK60Z-1
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- 制造商编号：
- STD2HNK60Z-1
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.226266 | ￥11.23 |
| 10 | ￥10.024984 | ￥100.25 |
| 100 | ￥7.815484 | ￥781.55 |
| 500 | ￥6.456033 | ￥3228.02 |
| 1000 | ￥5.40577 | ￥5405.77 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STD2HNK60Z-1
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
包装
Tube
系列
SuperMESH™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.8Ohm @ 1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
15nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
280pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
45W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
I-PAK
封装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
STD2HNK60Z-1 同类别型号
注
STD2HNK60Z-1品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STD2HNK60Z-1
数据手册PDF。
STD2HNK60Z-1
型号：STD2HNK60Z-1
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.226266 |
| 10+： | ￥10.024984 |
| 100+： | ￥7.815484 |
| 500+： | ￥6.456033 |
| 1000+： | ￥5.40577 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.23