货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥45.763139 | ¥45.76 |
10 | ¥41.358437 | ¥413.58 |
25 | ¥39.430665 | ¥985.77 |
100 | ¥32.699193 | ¥3269.92 |
250 | ¥30.775711 | ¥7693.93 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 140 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 155 nC
耗散功率 600 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 26 ns
正向跨导(Min) 45 S
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 35 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 PolarHV HiPerFET Power MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH140N10P
型号:IXFH140N10P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥45.763139 |
10+: | ¥41.358437 |
25+: | ¥39.430665 |
100+: | ¥32.699193 |
250+: | ¥30.775711 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥45.76