
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.464723 | ¥5.46 |
| 10 | ¥3.35775 | ¥33.58 |
| 20 | ¥2.350425 | ¥47.01 |
| 50 | ¥1.678875 | ¥83.94 |
| 100 | ¥1.594901 | ¥159.49 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 24.7 nC
耗散功率 79 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF530NPBF SP001570120
单位重量 2 g
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0IRF530NPBF
型号:IRF530NPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.464723 |
| 10+: | ¥3.35775 |
| 20+: | ¥2.350425 |
| 50+: | ¥1.678875 |
| 100+: | ¥1.594901 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥5.46