货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.57432 | ¥6.57 |
5 | ¥5.295888 | ¥26.48 |
10 | ¥3.71736 | ¥37.17 |
20 | ¥2.838672 | ¥56.77 |
50 | ¥2.000016 | ¥100.00 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 24.7 nC
耗散功率 79 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF530NPBF SP001570120
单位重量 2 g
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0IRF530NPBF
型号:IRF530NPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.57432 |
5+: | ¥5.295888 |
10+: | ¥3.71736 |
20+: | ¥2.838672 |
50+: | ¥2.000016 |
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单价:¥0.00总价:¥6.57