DMN2005UFGQ-7
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- 制造商编号：
- DMN2005UFGQ-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ￥2.307902 | ￥4615.80 |
| 6000 | ￥2.197996 | ￥13187.98 |
| 10000 | ￥2.096549 | ￥20965.49 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 8.7 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 164 nC
耗散功率 2.27 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
上升时间 25.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 114 ns
典型接通延迟时间 12.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
DMN2005UFGQ-7 同类别型号
注
DMN2005UFGQ-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMN2005UFGQ-7
数据手册PDF。
DMN2005UFGQ-7
型号：DMN2005UFGQ-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2000+： | ￥2.307902 |
| 6000+： | ￥2.197996 |
| 10000+： | ￥2.096549 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00