DMN2005UFGQ-7
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- DMN2005UFGQ-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ￥2.329875 | ￥4659.75 |
| 6000 | ￥2.218923 | ￥13313.54 |
| 10000 | ￥2.11651 | ￥21165.10 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 8.7 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 164 nC
耗散功率 2.27 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
上升时间 25.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 114 ns
典型接通延迟时间 12.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
DMN2005UFGQ-7 同类别型号
注
DMN2005UFGQ-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购DMN2005UFGQ-7、查询DMN2005UFGQ-7代理商；
DMN2005UFGQ-7价格批发咨询客服；这里拥有
DMN2005UFGQ-7中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到DMN2005UFGQ-7
替代型号
、DMN2005UFGQ-7
数据手册PDF。
DMN2005UFGQ-7
型号：DMN2005UFGQ-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2000+： | ￥2.329875 |
| 6000+： | ￥2.218923 |
| 10000+： | ￥2.11651 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00