货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥3.343745 | ¥3.34 |
10 | ¥2.983145 | ¥29.83 |
30 | ¥2.808308 | ¥84.25 |
100 | ¥2.633472 | ¥263.35 |
500 | ¥2.163599 | ¥1081.80 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 12.3 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns, 11 ns
正向跨导(Min) 35 S
上升时间 9 ns, 43 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns, 32 ns
典型接通延迟时间 11 ns, 40 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7617DN-GE3
单位重量 1 g
购物车
0SI7617DN-T1-GE3
型号:SI7617DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥3.343745 |
10+: | ¥2.983145 |
30+: | ¥2.808308 |
100+: | ¥2.633472 |
500+: | ¥2.163599 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥3.34