货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥72.291438 | ¥72.29 |
10 | ¥65.29826 | ¥652.98 |
100 | ¥54.061983 | ¥5406.20 |
500 | ¥47.076529 | ¥23538.26 |
1000 | ¥41.416344 | ¥41416.34 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 175 V
漏极电流 150 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 233 nC
耗散功率 880 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 165 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 32 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH150N17T2
型号:IXFH150N17T2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥72.291438 |
10+: | ¥65.29826 |
100+: | ¥54.061983 |
500+: | ¥47.076529 |
1000+: | ¥41.416344 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥72.29