
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥59.109529 | ¥59.11 |
| 10 | ¥53.391515 | ¥533.92 |
| 100 | ¥44.204105 | ¥4420.41 |
| 500 | ¥38.492406 | ¥19246.20 |
| 1000 | ¥33.864323 | ¥33864.32 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 175 V
漏极电流 150 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 233 nC
耗散功率 880 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 165 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 32 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0IXFH150N17T2
型号:IXFH150N17T2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥59.109529 |
| 10+: | ¥53.391515 |
| 100+: | ¥44.204105 |
| 500+: | ¥38.492406 |
| 1000+: | ¥33.864323 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥59.11