SI7617DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI7617DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：98787
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.06327 | ￥21.06 |
| 10 | ￥13.319868 | ￥133.20 |
| 100 | ￥8.828391 | ￥882.84 |
| 500 | ￥6.90057 | ￥3450.28 |
| 1000 | ￥6.279885 | ￥6279.89 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 12.3 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns, 11 ns
正向跨导（Min） 35 S
上升时间 9 ns, 43 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns, 32 ns
典型接通延迟时间 11 ns, 40 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7617DN-GE3
单位重量 1 g
SI7617DN-T1-GE3 同类别型号
注
SI7617DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI7617DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SI7617DN-T1-GE3
型号：SI7617DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：98787 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.06327 |
| 10+： | ￥13.319868 |
| 100+： | ￥8.828391 |
| 500+： | ￥6.90057 |
| 1000+： | ￥6.279885 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.06