
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥35.575014 | ¥35.58 |
| 10 | ¥29.517262 | ¥295.17 |
| 100 | ¥23.492369 | ¥2349.24 |
| 500 | ¥19.878576 | ¥9939.29 |
| 1000 | ¥16.866701 | ¥16866.70 |
| 2000 | ¥16.023331 | ¥32046.66 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 950 uOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 36 nC
耗散功率 74 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 75 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC009NE2LS5I SP001212434
单位重量 100 mg
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0BSC009NE2LS5IATMA1
型号:BSC009NE2LS5IATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥35.575014 |
| 10+: | ¥29.517262 |
| 100+: | ¥23.492369 |
| 500+: | ¥19.878576 |
| 1000+: | ¥16.866701 |
| 2000+: | ¥16.023331 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥35.58