DMN67D8L-7
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- DMN67D8L-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.250646 | ￥751.94 |
| 6000 | ￥0.226057 | ￥1356.34 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 210 mA
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 821 pC
耗散功率 340 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
正向跨导（Min） 80 mS
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.6 ns
典型接通延迟时间 2.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
DMN67D8L-7 同类别型号
注
DMN67D8L-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMN67D8L-7
数据手册PDF
。
DMN67D8L-7
型号：DMN67D8L-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.250646 |
| 6000+： | ￥0.226057 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00